Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM

  • Купити Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Ціна ,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Бренд,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Конструктор,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Ринок,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Компанія,
  • Купити Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Ціна ,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Бренд,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Конструктор,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Ринок,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Компанія,
  • Купити Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Ціна ,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Бренд,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Конструктор,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Ринок,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Компанія,
  • Купити Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Ціна ,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Бренд,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Конструктор,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Ринок,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Компанія,
  • Купити Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Ціна ,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Бренд,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Конструктор,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Ринок,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Компанія,
  • Купити Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Ціна ,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Бренд,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Конструктор,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Ринок,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Компанія,
  • Купити Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Ціна ,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Бренд,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Конструктор,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Ринок,Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM Компанія,
Подвійний N-канальний низьковольтний MOSFET HM
  • HM
  • КИТАЙ
  • 1 ТИЖДЕНЬ
  • 1000000

Оригінальний виробник!
Запаси готові до відправлення!
Безкоштовні зразки!
Ласкаво просимо OEM/ODM!
Висока якість помірна ціна

Заміни зроблені в Китаї для TI, Diodes, Infineon, ST, MuRATA, Nippon Chemicon, TDK, NDK, UTC, ONSEMI, ADI, NXP тощо.

Для отримання додаткової інформації, не зазначеної тут, зв’яжіться з нами безпосередньо:

Джим Денг

Whatsapp/wechat/мобільний телефон: +86 18925234107

Skype: happyjimdeng

Електронна адреса: sales@joegetech.com



Модель №.Канал VDS
(Макс.)
 VGS VTH
(Тип)
ID
(Макс.) 
 IDM RDS (увімкнено)
(Макс.)
ПакетЗаміна нижченаведених елементів
HM4806подвійний Н20В12В0,7 В7,5А20А8 мОмSOP8AO4806
HM4806A

подвійний Н

W/ESD

20В10В0,8 В14А44А5 мОмSOP8AO4806
HM4806Cподвійний Н20В12В0,6 В12А40А7,0 мОмSOP8AO4806
HM4806D
подвійний Н20В
12В
1,0 В
15А
45А
5,0 мОм
SOP8
AO4806
HM4806Bподвійний Н20В12В0,7 В21А65А5,0 мОмSOP8AO4806
HM4812подвійний Н30В20В1,6 В30А25 мОмSOP8AO4812/AO4800
APM4812/APM4800/ME4812
HM4812Aподвійний Н30В20В1,0 В40А23 мОмSOP8AO4812/AO4800
APM4812/APM4800/ME4812
HM4822подвійний Н30В20В1,6 В10А30А7,5 мОмSOP8AO4822/APM4822/CEM4822
AP4822/FDS4822
HM4822Bподвійний Н30В20В1,8 В10А30А9 мОмSOP8AO4822/APM4822/CEM4822
AP4822/FDS4822
HM4830подвійний Н30В20В1,6 В18А50А5,5 мОмSOP8AO4832/AO4838
HM4830Aподвійний Н30В20В1,1 В18А50А5,5 мОмSOP8AO4832/AO4838
HM4850подвійний Н40В20В3,0 В5,0 А20А32 мОмSOP8AO4840
HM4840подвійний Н40В20В1,3 В30А18,5 мОмSOP8AO4840
HM4840Aподвійний Н40В20В1,7 В8A32А16 мОмSOP8AO4840
HM4884подвійний Н40В20В10А40А16 мОмSOP8AO4884
HM4884Aподвійний Н40В20В2,5 В15А50А7,3 мОмSOP8AO4884
HM4828подвійний Н60В20В20А38 мОмSOP8AO4828/AO4946/APM4946
AP4946/FDS4946
STM6930/FDS6912A
HM4828Aподвійний Н60В20В1,6 В24А26 мОмSOP8AO4828/AO4946/APM4946
AP4946/FDS4946
STM6930/FDS6912A
HM4946
подвійний Н60В
20В
1,5 В
6,5А
30А
33 мОм
SOP8
AO4946/APM4946/CEM4946
AP4946/FDS4946/STN4946
Si4946/ME4946
HM4826подвійний Н60В20В1,8 В40А12 мОмSOP8AO4826
HM4826Aподвійний Н60В20В1,9 В12,5А50А14 мОмSOP8AO4826
HM4886Aподвійний Н100В20В1,6 В16А75 мОмSOP8AO4886
HM4892Aподвійний Н100В20В2,2 В7,5А22,5А33 мОмSOP8AO4892
HM4892Bподвійний Н100В20В2,15 В8.0A32А24 мОмSOP8AO4892
HM9926подвійний Н20В12В0,90 В6A25А26 мОмSOP8AO9926/CEM9926/APM9926
AP9926/AO8822/AO8810
HM9926Bподвійний Н20В12В0,70 В20А34 мОмSOP8AO9926/CEM9926/APM9926
AP9926/AO8822/AO8810
HM8205подвійний Н19,5 В10В0,7 В16А21 мОмСЬОГОДНІ-26AO8205/CEM8205
APM8205/AP8205
HM8205Aподвійний Н19,5 В10В0,7 В6A25А21 мОмTSSOP8AO8205A/CEM8205
APM8205/AP8205
HM8205Dподвійний Н20В10В0,65 В8A30А19 мОмДФН2Х5-6ЛAON5810
HM8205ADподвійний Н20В
12В
0,7 В
7,5А
25А
16 мОм
ДФН2Х3-6Л

HM8820AD
подвійний Н20В
12В
0,7 В

45А
12 мОм
ДФН2Х3-6Л

HM8825D
подвійний Н20В
12В
0,6 В
12А
40А
6,5 мОм
ДФН2Х3-6Л

HM8205Qподвійний Н20В12В0,7 В10А32А7,2 мОмДФН3*3-8AON3806/AON3814/AON3816
AON3818, аналогічний TDM3412
HM8840Qподвійний Н20В12В0,65 В10А35А8,5 мОмДФН3*3-8AON3806/AON3814/AON3816
AON3818, аналогічний TDM3412
HM8820BQ
подвійний Н20В
12В
0,7 В

30А
12 мОм
ДФН3*3-8
Сумісний з AON3806/AON3814/
AON3816/AON3818
HM8821Q
подвійний Н20В
12В
0,6 В
15А
45А
5,5 мОм
ДФН3*3-8
Сумісний з AON3806/AON3814/
AON3816/AON3818
HM4618SPподвійний Н20В12В0,7 В6A60А13 мОмЦСП-4AOC2800/AOC2802
HM8810Eподвійний NW/ESD20В12В0,7 В30А15 мОмСЬОГОДНІ-26
TSSOP8
AO8810/AO8820/AO8822
SSF2418E/SSF2816E
HM8810S/Aподвійний Н20В12В0,65 В30А18 мОмСЬОГОДНІ-26
TSSOP8
AO8810/AO8820/AO8822
SSF2418E/SSF2816E
HM8820Eподвійний NW/ESD20В12В0,7 В30А15 мОмTSSOP8AO8820/AO8810/AO8822
SSF2418E/SSF2816E
HM6800подвійний Н30В20В1,5 В3,6А15А40 мОмСЬОГОДНІ-26AO6800/AO6802
AO6804A/AO6810
HM6804подвійний Н20В10В0,7 В3,0 А10А30 мОмСЬОГОДНІ-26AO6804A
HM6804Dподвійний NW/ESD20В0,45 В0,9 А3,6А220 мОмСОТ23-6Л
HM2800Dподвійний Н20В12В0,65 В15А22 мОмДФН2Х2-6ЛAON2800
HM2802D
подвійний Н20В
12В
0,7 В
3,0 А
12А
32 мОм
ДФН2Х2-6Л
AON2800
HM3800Dподвійний Н30В12В0,9 В5,8А24А25 мОмДФН2Х2-6ЛAON2812/AON2810/AON2802
HM30D0808D
подвійний Н30В
20В
1,5 В
8.0A
24А
22 мОм
ДФН2Х2-6Л
AON2812/AON2810/AON2802
HM2818D
подвійний Н40В
20В
1,0 В
4.0A
12А
32 мОм
ДФН2Х2-6Л

HM2810D
подвійний Н60В
20В
1,1 В
3,0 А
12А
105 мОм
ДФН2Х2-6Л

HM3DN10D
подвійний Н100В
20В
1,8 В
3,0 А
9,0А
210 мОм
ДФН2Х2-6Л

HM2302BWKRподвійний NW/ESD20В0,45 В0,9 А3,6А220 мОм

SC70-6
(СЬОГОДНІ-363)

AO7800
BSS138DM
подвійний Н50В
20В
1,2 В
0,34 А
1,36А
1,1 Ом
SOT23-6

BSS138DW
подвійний Н50В
20В
1,2 В
0,34 А
1,36А
1,1 Ом
СЬОГОДНІ-363
(SC70-6)
BSS138DW
HM7002DMподвійний Н60В20В1,6 В0,115 А0,8 А7,5 ОмСЬОГОДНІ-262N7002DM
HM7002KDM
подвійний NW/ESD
60В
20В
1,3 В
0,3 А
0,9 А
1,8 Ом
СЬОГОДНІ-26
2N7002KDM
HM7002DWподвійний Н60В20В1,5 В0,115 А0,8 А7,5 ОмСЬОГОДНІ-3632N7002DW
HM7002KDWподвійний Н60В20В1,7 В0,32 А1,5 А2,3 ОмСЬОГОДНІ-3632N7002KDW
BSS123DM
подвійний Н100В
20В
1,7 В
0,17 А
0,68 А
1,2 Ом
СЬОГОДНІ-23

частина №КаналКонфігураціяVDS
 (IN)
VGS
(IN)
Vth
(IN)
RDS(ON) (мОм) Тип. або Макс.* при VGS=ID (A)Пакет
10В4,5 В2,5 ВTc=25 ℃
ASDM8205AZCN+NПодвійний20±81-25*40*6SOT23-6
ASDM8205ASSN+NПодвійний20±80,95-19,5*27,5*6TSSOP8
ASDM6802ZCN+NПодвійний30±202.533/45*53/75*-4.5SOT23-6
ASDM3010SN+NПодвійний30±122.515,5/20*21,5/26*-9SOP8
ASDM3020SN+NПодвійний30±202.010,5/12,5*13,5/16*-12SOP8
ASDM30DN30EN+NПодвійний30±202.015/16*20/24*-30PDFN3*3-8
ASDM30DN40EN+NПодвійний30±202.08/10*12/14*-40PDFN3*3-8
ASDM30DN40QN+NПодвійний30±202.08,6/12*12/17*-40ДФН5*6-8
ASDM40DN20EN+NПодвійний40±202.515/19*18/25*-20PDFN3*3-8
ASDM40DNXXX?N+NПодвійний40±20


-
SOT23-6
ASDM60DN05SN+NПодвійний60±202.528/30*31/36*-5SOP8
ASDM60DN08SN+NПодвійний60±202.514/1817/20-8SOP8
ASDM60DN30QN+NПодвійний60±202.514/16*21/24*-30ДФН5*6-8
ASDM100DN35QN+NПодвійний100±202.516,5/17*20/21*-35ДФН5*6-8


Зауваження:


1. Позначений струм Id є максимальним нормальним струмом мікросхеми MOS. Максимальний нормальний струм при фактичному використанні також обмежується максимальним струмом упаковки. Таким чином, максимальний граничний струм упаковки слід враховувати, коли замовник проектує продукт. Рекомендується, щоб замовник більш важливо враховував параметр внутрішнього опору MOS при проектуванні виробу.

2. Рекомендується, щоб резистор (10 К) і діод стабілізації напруги (5 В-12 В) були підключені між полюсами джерела затвора (G/S) MOS для захисту від перенапруги полюса джерела затвора (G/S).

3. Рекомендується якомога більше підвищити напругу відкриття МОП-трубки, щоб МОП-трубку можна було повністю відкрити та провести. В цей час внутрішній опір мінімальний, і нагрітися нелегко. Зазвичай рекомендується, щоб напруга відкриття VGS низьковольтних МОП була встановлена ​​вище 4,5 В, а напруга відкриття МОП середньої та високої напруги повинна бути вище 10 В.

4. Запобіжні заходи щодо роботи схеми MOS:


Статична електрика може виникати в багатьох місцях. Наступні запобіжні заходи можуть ефективно запобігти пошкодженню МОП-схем, спричиненому статичним розрядом:

• Оператори повинні бути заземлені через антистатичний браслет.

• Корпус обладнання повинен бути заземлений.

• Інструменти, які використовуються під час монтажу, повинні бути заземлені.

• Має бути упакований або транспортований з провідником або антистатичними матеріалами

Наш HM2301/SOT-23/3A/20V/PMOS має наступні переваги: ​​він має струм 3A та малий внутрішній опір, що відрізняється від недорогого продукту 1A на ринку. Його можна використовувати в мобільному джерелі живлення/зарядному пристрої/багатосекційній захисній платі/побутовій техніці/іграшках для авіамоделювання/дистанційного керування та інших додатках із високим струмом/низьким внутрішнім опором.


Наш HM2302/SOT-23/3A/20V/NMOS має наступні переваги: ​​він має струм 3A та малий внутрішній опір, що відрізняється від недорогого продукту 1A на ринку. Його можна використовувати в мобільному джерелі живлення/зарядному пристрої/багатосекційній захисній платі/побутовій техніці/іграшках для авіамоделювання/дистанційного керування та інших додатках із високим струмом/низьким внутрішнім опором.


Наш HM3400/SOT-23-3L/5.8A/30V/NMOS має наступні переваги: ​​він оснащений струмом 5.8A/великим SOT-23 з малим внутрішнім опором. На відміну від невеликого SOT-23 у нижньому сегменті ринку, його можна використовувати для мобільного джерела живлення/зарядного пристрою/багатосекційної захисної плати/побутової техніки/аеромоделювання/іграшок з дистанційним керуванням та інших додатків із сильним струмом/низьким внутрішнім опором.


Наш HM3401/SOT-23-3L/4.2A/30V/PMOS має наступні переваги: ​​він оснащений струмом 4.2A/великим SOT-23 з малим внутрішнім опором. На відміну від невеликого SOT-23 у нижньому сегменті ринку, його можна використовувати для мобільного джерела живлення/зарядного пристрою/багатосекційної захисної плати/побутової техніки/аеромоделювання/іграшок з дистанційним керуванням та інших додатків із сильним струмом/низьким внутрішнім опором.


Наш HM2310/SOT-23-3L/3A/60V/NMOS має наступні переваги: ​​1. Витримувана напруга може досягати 60V, що достатньо для струму 3A, і він поставляється з великим SOT-23. 2. Його можна використовувати для світлодіодного освітлення та інших продуктів з опором високої напруги.


Наш HM4953 має переваги великого струму та малого внутрішнього опору, які можна використовувати на ринку повнокольорових екранів.


Наш HM4430 має такі переваги, як великий струм, малий внутрішній опір і струм до 18 А. Це один із продуктів із найбільшим струмом SOP8/NMOS на ринку.


Перевага нашого HM4440 полягає в тому, що витримувана напруга може досягати 60 В, що є одним із найбільших на ринку продуктів із витримкою напруги SOP8/NMOS.


Переваги HM8810E/SOT-26&TSSOP8/7A/20V/dual N MOS: має струм 7A та захист від статичної електрики. Порівняно з 8205 на ринку, струм більший, а внутрішній опір менший. Він може безпосередньо замінити AO8810/AO8820/AO8822/SSF2418E/SSF2816E. Він в основному використовується в платі захисту літієвої батареї високого класу/батареї мобільного телефону/багатосекційній платі захисту/мобільному джерелі живлення/зарядному пристрої/побутовій техніці/іграшках для авіамоделювання/дистанційного керування та інших додатках із сильним струмом/низьким внутрішнім опором.


Застосування продукту:


1. MP3/MP4/MP5/PMP плеєр

2.MID/UMPC

3. GPS/Bluetooth гарнітура

4. PDVD/бортовий DVD/автомагнітола

5. РК-телевізор/РК-дисплей

6. Мобільний блок живлення/електронна сигарета

7. Акумулятор мобільного телефону, захисна плата літієвого акумулятора

8. Світлодіодне освітлення/світлодіодне живлення

9. Світлодіодний дисплей

10. Розумний зарядний пристрій

11. Дрібна побутова техніка, пульт управління побутовою технікою

12. Материнська плата комп'ютера та відеокарта



Отримати останню ціну? Ми відповімо якнайшвидше (протягом 12 годин)

Політика конфіденційності

close left right