HM середньої напруги високого струму SJ (суперперехід) канал MOSFET
- HM
- КИТАЙ
- 1 ТИЖДЕНЬ
- 1000000
Оригінальний виробник!
Запаси готові до відправлення!
Безкоштовні зразки!
Ласкаво просимо OEM/ODM!
Висока якість помірна ціна
Заміни зроблені в Китаї для TI, Diodes, Infineon, ST, MuRATA, Nippon Chemicon, TDK, NDK, UTC, ONSEMI, ADI, NXP тощо.
Для отримання додаткової інформації, не зазначеної тут, зв’яжіться з нами безпосередньо:
Джим Денг
Whatsapp/wechat/мобільний телефон: +86 18925234107
Skype: happyjimdeng
Електронна адреса: sales@joegetech.com
HM Low Voltage SJ (super-junction) Channel MOSFET
Модель №. | Канал | VDS | VGS | VTH | ID | IDM | RDS (увімкнено) | Пакет | Заміна нижченаведених елементів |
HMS90P03D | П | 30В | 20В | 1,5 В | 90А | 300А | 5,1 мОм | ДФН5Х6-8Л | AON6405/AON6435/Si7143DP SiR403EDP/Si7139DP/Si7149ADP IRFH9310/ME7609D |
HMS80P04K | П | 40В | 20В | 1,2 В | 80А | 320А | 5,6 мОм | ТО-252 | ME70P04/IPI70P04/ AOD403/IRF4905 |
HMS80P05A | П | 50В | 20В | 1,1 В | 80А | 300А | 7,6 мОм | ТО-220 | |
HMS45N03D | Н | 30В | 20В | 1,5 В | 45А | 125А | 5,8 мОм | ДФН5Х6-8Л | |
HMS65N03Q | Н | 30В | 20В | 1,5 В | 65А | 260А | 1,9 мОм | DFN3X3-8L | |
HMS85N03ED | Н | 30В | 20В | 1,5 В | 85А | 200А | 2,7 мОм | ДФН5Х6-8Л | |
HMS120N03D | Н | 30В | 20В | 1,7 В | 120А | 340A | 1,95 мОм | ДФН5Х6-8Л | AON6512 |
HMS150N03D | Н | 30В | 20В | 1,7 В | 150А | 340A | 1,5 мОм | ДФН5Х6-8Л | AON6406/AON6512/ AON6500/AON6560 |
HMS170N03D | Н | 30В | 20В | 1,5 В | 170А | 400А | 1,35 мОм | ДФН5Х6-8Л | AON6406/AON6512 AON6500/AON6560 |
HMS200N03D | Н | 30В | 20В | 1,5 В | 200А | 600А | 0,8 мОм | ДФН5Х6-8Л | AON6406/AON6512/ AON6500/AON656 |
HMS45N04D | Н | 40В | 20В | 1,6 В | 45А | 135А | 6 мОм | ДФН5Х6-8Л | AON6236/AON6442 |
HMS60N04EQ | Н W/ESD | 40В | 20В | 1,5 В | 60А | 240А | 3,5 мОм | DFN3X3-8L | AON7140/AON7240/AON7242 |
HMS65N04Q | Н | 40В | 20В | 1,5 В | 65А | 260А | 2,2 мОм | DFN3X3-8L | AON7140/AON7240/AON7242 |
HMS85N04ED | Н | 40В | 20В | 1,5 В | 85А | 260А | 3 мОм | ДФН5Х6-8Л | AON6590/AON6144/AON6152/4/6 |
HMS90N04D | Н | 40В | 20В | 1,5 В | 90А | 360A | 2,2 мОм | ДФН5Х6-8Л | AON6590/AON6144/AON6152/4/6 |
HMS100N04D | Н | 40В | 20В | 1,4 В | 100А | 300А | 1,4 мОм | ДФН5Х6-8Л | AON6590/AON6144/AON6152/ AON6154/AON6156 |
HMS120N04D | Н | 40В | 20В | 1,7 В | 120А | 400А | 2,05 мОм | ДФН5Х6-8Л | AON6590/AON6144/AON6152/4/6 |
HMS135N04D | Н | 40В | 20В | 2,5 В | 135А | 405A | 2,2 мОм | ДФН5Х6-8Л | AON6590/AON6144/AON6152/ AON6154/AON6156 |
HMS150N04D | Н | 40В | 20В | 1,7 В | 50А | 400А | 1,6 мОм | ДФН5Х6-8Л | AON6590/AON6144 |
HMS190N04D | Н | 40В | 20В | 1,5 В | 185А | 400А | 1 мОм | ДФН5Х6-8Л | AON6590/AON6144 |
HMS200N04D | Н | 40В | 20В | 1,5 В | 200А | 450А | 0,85 мОм | ДФН5Х6-8Л | AON6590/AON6144 |
HMS35N06Q/D | Н | 60В | 20В | 1,6 В | 35А | 105А | 9,1 мОм | DFN3X3-8L ДФН5Х6-8Л | AON6248/AON7246/AON7262E/ AON7264E/AON7444/SiR688DP/ SiR662DP/SiR670DP/SiR664DP/ Si7164DP/IRLH5036/IRFH5006/ IRFH5106 |
HMS50N06Q | Н | 60В | 20В | 3В | 50А | 200А | 6,5 мОм | DFN3X3-8L | |
HMS60N06D | Н | 60В | 20В | 1,7 В | 60А | 240А | 4,0 мОм | ДФН5Х6-8Л | AON6248/AON6266 |
HMS80N06D | Н | 60В | 20В | 1,7 В | 80А | 320А | 3,5 мОм | ДФН5Х6-8Л | AON6242/AON6244/AON6246 AON6260/AON6160/AON644 |
HMS150N06D | Н | 60В | 20В | 2,5 В | 150А | 600А | 2,8 мОм | ДФН5Х6-8Л | AON6160 |
HMS50N06/K | Н | 60В | 20В | 1,8 В | 50А | 200А | 15 мОм | ТО-220 | STP50N06/IRFZ44N/SUD50N06/ SSF6808/AP50N06/PHD50N06/ FQP50N06/FTD50N06 |
HMS90N06 | Н | 60В | 20В | 3,0 В | 90А | 360A | 6,4 мОм | ТО-220 | CEP80N06/NTP80N06/MTP80N06/ RFP80N06/SUP80N06/AOT2606/ AOT2608/IRFZ48V/IRF1018E |
HMS3205/K/D | Н | 60В | 20В | 1,7 В | 120А | 480A | 3,5 мОм | ТО-220 | IRF3205/DFP3205/MXP6008/RU3205/ |
HMS50N08D | Н | 80В | 20В | 2,0 В | 50А | 150А | 10 мОм | ДФН5Х6-8Л | AON6278 |
HMS60N08D | Н | 80В | 20В | 2,5 В | 60А | 180А | 6,8 мОм | ДФН5Х6-8Л | AON6278 |
HMS85N08K | Н | 80В | 20В | 3,0 В | 85А | 255A | 6,8 мОм | ТО-252 | |
HMS80N85/D | Н | 80В | 20В | 3,0 В | 85А | 255A | 6,8 мОм | ТО-220 | |
HMS85N95/D | Н | 85В | 20В | 3,0 В | 95А | 380A | 5,4 мОм | ТО-220 | |
HMS90N85D | Н | 85В | 20В | 3,0 В | 90А | 360A | 5,5 мОм | ДФН5Х6-8Л | |
HMS100N85D | Н | 85В | 20В | 2,5 В | 100А | 380A | 5,3 мОм | ДФН5Х6-8Л | |
HMS130N85D | Н | 85В | 20В | 3В | 130А | 520A | 3,5 мОм | ДФН5Х6-8Л | |
HMS140N85 | Н | 85В | 20В | 3В | 140А | 560A | 3,5 мОм | ТО-220 | |
HMS160N85/D | Н | 85В | 20В | 3В | 160А | 640A | 2,95 мОм | ТО-220 ТО-263 | |
HMS18N10Q/D | Н | 100В | 20В | 1,8 В | 18А | 72А | 20 мОм | DFN3X3-8L | AON6484/AON6486AON7292/ AON7296/AON7450 |
HMS35N10K | Н | 100В | 20В | 1,8 В | 35А | 105А | 23 мОм | ТО-252 | SUD40N10 |
HMS40N10A/KA | Н | 100В | 20В | 1,5 В | 40А | 120А | 12 мОм | ТО-220 ТО-252 | AOT414/AOT416/IRF1310/ RFP40N10/MTP40N10/ SUD40N10/SUP40N10/ MTB40N10 |
HMS40N10D | Н | 100В | 20В | 1,7 В | 40А | 160А | 7,2 мОм | ДФН5Х6-8Л | AON6224/AON6298 |
HMS60N10D | Н | 100В | 20В | 2,5 В | 60А | 240А | 8,5 мОм | ДФН5Х6-8Л | AON6298/AON6450/SiR878ADP/ |
HMS60N10DA | Н | 100В | 20В | 1,7 В | 60А | 240А | 7,2 мОм | ДФН5Х6-8Л | AON6298/AON6450/SiR878ADP/ SiR876ADP/SiR882ADP/SiR846ADP/ SiR804DP/SiR870ADP/SiJ470DP/ SM1A06NSKP |
HMS70N10D | Н | 100В | 20В | 2,0 В | 70А | 280А | 6,8 мОм | ДФН5Х6-8Л | AON6298/AON6450/SiR878ADP/ SiR876ADP/SiR882ADP/ SiR846ADP/SiR804DP/SiR870ADP/ SiJ470DP/SM1A06NSKP |
HMS65N10KA | Н | 100В | 20В | 1,5 В | 40А | 120А | 12 мОм | ТО-252 | SUD40N10 |
HMS85N10DA | Н | 100В | 20В | 1,8 В | 85А | 340A | 6,1 мОм | ДФН5Х6-8Л | |
HMS85N10KA | Н | 100В | 20В | 1,8 В | 85А | 320А | 6,3 мОм | ТО-252 | |
HMS95N10DA | Н | 100В | 20В | 1,7 В | 95А | 380A | 5,6 мОм | ДФН5Х6-8Л | |
HMS105N10D | Н | 100В | 20В | 2,5 В | 105А | 400А | 3,5 мОм | ДФН5Х6-8Л | |
HMS125N10D | Н | 100В | 20В | 2,5 В | 125А | 500А | 3,8 мОм | ДФН5Х6-8Л | |
HMS80N10A/ | Н | 100В | 20В | 1,7 В | 80А | 320А | 7,2 мОм | ТО-220 | IRFB4610/IRFB4710/IRFB4510 |
HMS4030/D | Н | 100В | 20В | 2,5 В | 115А | 345A | 8,5 мОм | ТО-220 | IRLB4030/IRFB4310 |
HMS4030A/DA | Н | 100В | 20В | 3,0 В | 120А | 360A | 4,5 мОм | ТО-220 | IRLB4030/IRFB4310 AOT1100/AOT290/AOT410 |
HMS4110T | Н | 100В | 20В | 3,0 В | 180А | 720A | 3,0 мОм | ТО-247 | IRFB4110/IRFB4310/AOT1100/ AOT290/AOT410 |
HMS50N120DA | Н | 120В | 20В | 1,7 В | 50А | 200А | 10 мОм | ДФН5Х6-8Л | |
HMS10N15D | Н | 150В | 20В | 2,0 В | 10А | 31,8А | 57 мОм | ДФН5Х6-8Л | AON6454A |
HMS20N15K | Н | 150В | 20В | 3,3 В | 20А | 80А | 65 мОм | ТО-252 | AOD254/AOD256/AOD4454/ SUD15N15/SUD25N15/ IRFR4615//IRFR18N15D/ AP20N15GH/IRFR24N15D |
HMS20N15KA | Н | 150В | 20В | 1,9 В | 20А | 80А | 56 мОм | ТО-252 | AOD254/AOD256/AOD4454/ SUD15N15/SUD25N15/ IRFR4615/IRFR18N15D AP20N15GH/IRFR24N15D |
HMS45N15K/D | Н | 150В | 20В | 3,1 В | 23А/ | 45А | 24 мОм | ТО-252/ | AON6160 |
HMS50N15LD | Н | 150В | 20В | 2,5 В | 50А | 200А | 25 мОм | ДФН5Х6-8Л | AON6160 |
HMS80N15 | Н | 150В | 20В | 2,5 В | 80А | 320А | 12,5 мОм | ТО-220 | |
HMS80N15D | Н | 150В | 20В | 3,0 В | 80А | 320А | 10 мОм | ДФН5Х6-8Л | |
HMS110N15 | Н | 135В | 20В | 2,5 В | 110А | 440A | 6,3 мОм | ТО-220 | IRFB52N15D/IRFB41N15D/IRF3415 |
HMS15N25K | Н | 250В | 20В | 3,5 В | 15А | 60А | 200 мОм | ТО-252 | |
HMS25N25F | Н | 250В | 20В | 3,5 В | 25А | 100А | 60 мОм | ТО-220Ф | |
HMS25N25K | Н | 250В | 20В | 3,5 В | 25А | 100А | 60 мОм | ТО-252 | |
HMS80N25F | Н | 250В | 20В | 3,5 В | 80А | 320А | 18,5 мОм | ТО-220Ф | |
HMS80N25D | Н | 250В | 20В | 3,5 В | 80А | 320А | 16 мОм | ТО-263 |
Зауваження:
1. Позначений струм Id є максимальним нормальним струмом мікросхеми MOS. Максимальний нормальний струм при фактичному використанні також обмежується максимальним струмом упаковки. Таким чином, максимальний граничний струм упаковки слід враховувати, коли замовник проектує продукт. Рекомендується, щоб замовник більш важливо враховував параметр внутрішнього опору MOS при проектуванні виробу.
2. Рекомендується, щоб резистор (10 К) і діод стабілізації напруги (5 В-12 В) були підключені між полюсами джерела затвора (G/S) MOS для захисту від перенапруги полюса джерела затвора (G/S).
3. Рекомендується якомога більше підвищити напругу відкриття МОП-трубки, щоб МОП-трубку можна було повністю відкрити та провести. В цей час внутрішній опір мінімальний, і нагрітися нелегко. Зазвичай рекомендується, щоб напруга відкриття VGS низьковольтних МОП була встановлена вище 4,5 В, а напруга відкриття МОП середньої та високої напруги повинна бути вище 10 В.
4. Запобіжні заходи щодо роботи схеми MOS:
Статична електрика може виникати в багатьох місцях. Наступні запобіжні заходи можуть ефективно запобігти пошкодженню МОП-схем, спричиненому статичним розрядом:
• Оператори повинні бути заземлені через антистатичний браслет.
• Корпус обладнання повинен бути заземлений.
• Інструменти, які використовуються під час монтажу, повинні бути заземлені.
• Має бути упакований або транспортований з провідником або антистатичними матеріалами
Наш HM2301/SOT-23/3A/20V/PMOS має наступні переваги: він має струм 3A та малий внутрішній опір, що відрізняється від недорогого продукту 1A на ринку. Його можна використовувати в мобільному джерелі живлення/зарядному пристрої/багатосекційній захисній платі/побутовій техніці/іграшках для авіамоделювання/дистанційного керування та інших додатках із високим струмом/низьким внутрішнім опором.
Наш HM2302/SOT-23/3A/20V/NMOS має наступні переваги: він має струм 3A та малий внутрішній опір, що відрізняється від недорогого продукту 1A на ринку. Його можна використовувати в мобільному джерелі живлення/зарядному пристрої/багатосекційній захисній платі/побутовій техніці/іграшках для авіамоделювання/дистанційного керування та інших додатках із високим струмом/низьким внутрішнім опором.
Наш HM3400/SOT-23-3L/5.8A/30V/NMOS має наступні переваги: він оснащений струмом 5.8A/великим SOT-23 з малим внутрішнім опором. На відміну від невеликого SOT-23 у нижньому сегменті ринку, його можна використовувати для мобільного джерела живлення/зарядного пристрою/багатосекційної захисної плати/побутової техніки/аеромоделювання/іграшок з дистанційним керуванням та інших додатків із сильним струмом/низьким внутрішнім опором.
Наш HM3401/SOT-23-3L/4.2A/30V/PMOS має наступні переваги: він оснащений струмом 4.2A/великим SOT-23 з малим внутрішнім опором. На відміну від невеликого SOT-23 у нижньому сегменті ринку, його можна використовувати для мобільного джерела живлення/зарядного пристрою/багатосекційної захисної плати/побутової техніки/аеромоделювання/іграшок з дистанційним керуванням та інших додатків із сильним струмом/низьким внутрішнім опором.
Наш HM2310/SOT-23-3L/3A/60V/NMOS має наступні переваги: 1. Витримувана напруга може досягати 60V, що достатньо для струму 3A, і він поставляється з великим SOT-23. 2. Його можна використовувати для світлодіодного освітлення та інших продуктів з опором високої напруги.
Наш HM4953 має переваги великого струму та малого внутрішнього опору, які можна використовувати на ринку повнокольорових екранів.
Наш HM4430 має такі переваги, як великий струм, малий внутрішній опір і струм до 18 А. Це один із продуктів із найбільшим струмом SOP8/NMOS на ринку.
Перевага нашого HM4440 полягає в тому, що витримувана напруга може досягати 60 В, що є одним із найбільших на ринку продуктів із витримкою напруги SOP8/NMOS.
Переваги HM8810E/SOT-26&TSSOP8/7A/20V/dual N MOS: має струм 7A та захист від статичної електрики. Порівняно з 8205 на ринку, струм більший, а внутрішній опір менший. Він може безпосередньо замінити AO8810/AO8820/AO8822/SSF2418E/SSF2816E. Він в основному використовується в платі захисту літієвої батареї високого класу/батареї мобільного телефону/багатосекційній платі захисту/мобільному джерелі живлення/зарядному пристрої/побутовій техніці/іграшках для авіамоделювання/дистанційного керування та інших додатках із сильним струмом/низьким внутрішнім опором.
Застосування продукту:
1. MP3/MP4/MP5/PMP плеєр
2.MID/UMPC
3. GPS/Bluetooth гарнітура
4. PDVD/бортовий DVD/автомагнітола
5. РК-телевізор/РК-дисплей
6. Мобільний блок живлення/електронна сигарета
7. Акумулятор мобільного телефону, захисна плата літієвого акумулятора
8. Світлодіодне освітлення/світлодіодне живлення
9. Світлодіодний дисплей
10. Розумний зарядний пристрій
11. Дрібна побутова техніка, пульт управління побутовою технікою
12. Материнська плата комп'ютера та відеокарта