HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+

  • Купити HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+,HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+ Ціна ,HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+ Бренд,HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+ Конструктор,HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+ Ринок,HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+ Компанія,
  • Купити HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+,HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+ Ціна ,HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+ Бренд,HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+ Конструктор,HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+ Ринок,HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+ Компанія,
  • Купити HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+,HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+ Ціна ,HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+ Бренд,HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+ Конструктор,HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+ Ринок,HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+ Компанія,
  • Купити HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+,HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+ Ціна ,HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+ Бренд,HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+ Конструктор,HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+ Ринок,HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+ Компанія,
  • Купити HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+,HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+ Ціна ,HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+ Бренд,HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+ Конструктор,HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+ Ринок,HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+ Компанія,
  • Купити HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+,HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+ Ціна ,HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+ Бренд,HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+ Конструктор,HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+ Ринок,HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+ Компанія,
HM Середня напруга, високий струм SJ (суперперехід) Канал MOSFET 100 В+
  • HM
  • КИТАЙ
  • 1 ТИЖДЕНЬ
  • 1000000

Оригінальний виробник!
Запаси готові до відправлення!
Безкоштовні зразки!
Ласкаво просимо OEM/ODM!
Висока якість помірна ціна

Заміни зроблені в Китаї для TI, Diodes, Infineon, ST, MuRATA, Nippon Chemicon, TDK, NDK, UTC, ONSEMI, ADI, NXP тощо.

Для отримання додаткової інформації, не зазначеної тут, зв’яжіться з нами безпосередньо:

Джим Денг

Whatsapp/wechat/мобільний телефон: +86 18925234107

Skype: happyjimdeng

Електронна адреса: sales@joegetech.com

HM Low Voltage SJ (super-junction) Channel MOSFET



Модель №.

Канал

VDS
(Макс.)

VGS 

VTH
(Тип)

ID
(Макс.)

IDM

RDS (увімкнено)
(Макс.)

Пакет

 Заміна нижченаведених елементів

HM530

N канал

100В

20В

3,2 В

17A

60А

70 мОм

ТО-220

IRF530

HM3710/K/D

N канал

100В

20В

3,0 В

57A

190А

12 мОм

ТО-220
ТО-252
ТО-263

IRF3710/IRF540/SSF1010
MXP1018

HM73N10

N канал

100В

25В

2,8 В

73А

290A

10 мОм

ТО-220

IRFB4610/IRFB4710/IRFB4510
IRF8010/AOT296/AOT298/
AOT412

HM2807/D

N канал

100В

20В

3,0 В

100А

380A

9,9 мОм

ТО-220
ТО-263

IRF2807/SSF7509/MXP1010

HM4030/D

N канал

100В

25В

3,0 В

118А

472A

6,8 мОм

ТО-220
ТО-263

IRLB4030/IRFB4310/
AOT1100/AOT290/AOT410

HM4310

N канал

100В

25В

3,0 В

140А

560A

5,3 мОм

ТО-220

IRF4310/AOT1100/AOT290/
AOT410

HM4110

N канал

100В

25В

2,8 В

170А

680A

4,5 мОм

ТО-220

IRFB4110/IRFB4310/AOT1100/
AOT290/AOT410

HM4110T

N канал

100В

20В

3,0 В

210А

850A

3,1 мОм

ТО-247

IRFB4110/IRFB4310/AOT1100/
AOT290/AOT410

HM4468T

N канал

100В

20В

3,0 В

290A

1120A

2,7 мОм

ТО-247

IRFB4468

HM10N10K/I

N канал

100В

20В

1,8 В

9,6А

58А

105 мОм

ТО-252
ТО-251

STP10N10/2SK2504/FDS3672/
IRFR3410

ХМ10Н10КА

N канал

100В

20В

1,5 В

10А

60А

90 мОм

ТО-252

STP10N10/2SK2504/FDS3672/
IRFR3410

HM10N10Q

N канал

100В

20В

1,6 В

10А

30А

75 мОм

DFN3X3-8L

AON7296/AON7452

HM15N10D

N канал

100В

20В

1,9 В

15А

45А

27 мОм

ДФН5Х6-8Л

AON6484/AON648

HM15N10K

N канал

100В

20В

1,6 В

15А

60А

75 мОм

ТО-252

FQD15N10/IRLU3410/STP15N10/
UTC15N10/SSP15N10/SPB15N10/
SSP15N10/SPB15N10

HM17N10K/I

N канал

100В

20В

1,8 В

17A

65А

56 мОм

ТО-252
ТО-251

FQD17N10/IRLU3410/STP16N10/
UTC19N10/SSP19N10/SPB19N10/
SSP16N10/SPB16N10

HM30N10/K

N канал

100В

20В

1,9 В

30А

90А

27 мОм

ТО-220
ТО-252

AOT414/AOT416/IRF1310/
RFP30N10/MTP30N10/MTB30N10/
SUD30N10/SUP30N10

HM30N10D

N канал

100В

20В

3,0 В

30А

90А

14 мОм

ДФН5Х6-8Л

AON6482/AON6484/AON6486/
AON6452/IRFH5053/IRLH5030/
IRFH5010/IRFH5110/IRFH5210/
IRFH7110/SiR698DP/Si7454DDP/
Si7456DDP/SM1A24NSKP

HM6224D
N канал
100В
20В
1,4 В
34А
100А
8,8 мОм
ДФН5Х6-8Л
AON6482/AON6484/AON6486/
AON6452

HM40N10/K

N канал

100В

20В

3,0 В

40А

160А

14 мОм

ТО-220
ТО-252

AOT414/AOT416/IRF1310/
RFP40N10/MTP40N10/MTB40N10/
SUD40N10/SUP40N10

HM40N10A/KA

N канал

100В

20В

1,1 В

40А

160А

14 мОм

ТО-220
ТО-252

AOT414/AOT416/IRF1310/
RFP40N10/MTP40N10/MTB40N10/
SUD40N10/SUP40N10

HM50N10K

N канал

100В

25В

1,6 В

50А

150А

19 мОм

ТО-252

AOT414/AOT416/IRF1310/
RFP50N10/MTP50N10/MTB50N10/
SUD50N10/SUP50N10

HM10N15D

N канал

150В

20В

1,6 В

10А

30А

85 мОм

ДФН5Х6-8Л

AON6454A

HM12N15I

N канал

150В

20В

2,0 В

12А

50А

130 мОм

ТО-251

IRFU18N15D/SUU09N10/AOI478
AM12N15/AP12N15GJ/UTC12N15

HM20N15/K

N канал

150В

20В

3,4 В

20А

40А

85 мОм

ТО-220
ТО-252

AOD254/AOD256/AOD4454/
SUD15N15/SUD25N15/IRFR4615/
IRFR18N15D/AM20N15/
AP20N15GH/UTC20N15/
IRFR24N15D

HM20N15A/KA

N канал

150В

20В

1,6 В

20А

40А

85 мОм

ТО-220
ТО-252

AOD254/AOD256/AOD4454/
SUD15N15/SUD25N15/IRFR4615/
IRFR18N15D/AM20N15/
AP20N15GH/UTC20N15/
IRFR24N15D

HM20N15D

N канал

150В

20В

1,05 В

20А

60А

35 мОм

ДФН5Х6-8Л

AON6454A

HM40N15K

N канал

150В

20В

3,2 В

40А

164А

35 мОм

ТО-252

FDD2572/SUM40N15/SGL40N15/
AOD254/AOD256/AOD4454/
IRFR4615/IRFR24N15D

ХМ40Н15КА

N канал

150В

12В

1,05 В

40А

164А

35 мОм

ТО-252

FDD2572/SUM40N15/SGL40N15/
AOD254/AOD256/AOD4454/
IRFR4615/IRFR24N15D

HM50N15/D

N канал

150В

20В

3,2 В

50А

210А

19,5 мОм

ТО-220
ТО-263

IRFB52N15D/IRFB41N15D/
IRF3415/IRFB4615/IRFB5615/
STP50N15/IXTH50N15

HM70N15

N канал

150В

20В

3,1 В

70А

280А

12 мОм

ТО-220

IRFB52N15D/IRFB41N15D/
IRF3415/IRFB4615/IRFB5615/
STP50N15/IXTH50N15/
IRFB4321/G/SUP85N15

HM80N15/F

N канал

150В

20В

3,1 В

80А

320А

11 мОм

ТО-220/
ТО-220Ф

IRFB52N15D/IRFB41N15D/
IRF3415/IRFB4615/IRFB5615/
STP50N15IXTH50N15/
IRFB4321/G/SUP85N15

HM100N15

N канал

140В

25В

100А

400А

8,8 мОм

ТО-220

IRFB52N15D/IRFB41N15D/
IRF3415/IRFB4615/IRFB5615/
STP50N15/IXTH50N15/
IRFB4321/G/SUP85N15

HM100N15A

N канал

150В

20В

3,7 В

100А

390A

9,5 мОм

ТО-220

IRFB52N15D/IRFB41N15D/
IRF3415/IRFB4615/IRFB5615/
STP50N15/IXTH50N15/
IRFB4321/G/SUP85N15

HM26N18K

N канал

185В

20В

26A

100А

50 мОм

ТО-252


HM5N20I/K

N канал

200В

20В

1,7 В

20А

520 мОм

ТО-251
ТО-252

IRF630

HM8N20/K

N канал

200В

20В

3,2 В

8A

20А

260 мОм

ТО-220
ТО-252

IRF630

HM8N20A/KA/I

N канал

200В

20В

1,7 В

8A

20А

260 мОм

ТО-220
ТО-252
ТО-251

IRF630

HM9N20/K
N канал
200В
20В
3,0 В

27A
290 мОм
ТО-220
ТО-252
IRF630

HM12N20D

N канал

200В

20В

1,5 В

12А

36A

62 мОм

ДФН5Х6-8Л

AON6458

HM24N20/K

N канал

200В

20В

3,2 В

24А

100А

63 мОм

ТО-220
ТО-252

AOD2210/IRFR4620/IRFR15N20D

ХМ24Н20КА

N канал

200В

20В

1,5 В

24А

100А

62 мОм

ТО-252

AOD2210/IRFR4620/IRFR15N20D

HM32N20

N канал

200В

20В

3,2 В

32А

128A

50 мОм

ТО-220

IRFP4620/IRFP32N20D
HM36N20
N канал
200В
20В
3,8 В
36A
150А
57 мОм
ТО-220
STP40N20/IXFH40N20/SSH40N20

HM40N20/D

N канал

200В

20В

3,2 В

40А

160А

36,5 мОм

ТО-220
ТО-263

IRFB38N20D/IRFB42N20D/
STP40N20/FQA40N20/
IXFH40N20/SSH40N20

HM50N20/D

N канал

200В

20В

3,0 В

50А

200А

30 мОм

ТО-220
ТО-263

IRFB50N20D/STP50N20
FQA50N20/IXFH50N20/SSH50N20

HM60N20/D

N канал

200В

25В

3,2 В

60А

240А

24 мОм

ТО-220
ТО-263

IRFB60N20D/STP60N20
FQA60N20/IXFH60N20/SSH60N20

HM70N20T

N канал

200В

30В

3,0 В

70А

280А

29 мОм

ТО-247


HM75N20

N канал

200В

20В

3,5 В

75А

300А

18 мОм

ТО-220

STP75N20

HM90N20N канал
200В
20В
3,0 В
90А
360A
22 мОм
ТО-220
STP100N20/FQA100N20/
IXFH100N20/SSH100N20

HM100N20T

N канал

200В

20В

3,0 В

100А

400А

13,5 мОм

ТО-247

IRFB100N20D/STP100N20
FQA100N20/IXFH100N20/
SSH100N20





Зауваження:


1. Позначений струм Id є максимальним нормальним струмом мікросхеми MOS. Максимальний нормальний струм при фактичному використанні також обмежується максимальним струмом упаковки. Таким чином, максимальний граничний струм упаковки слід враховувати, коли замовник проектує продукт. Рекомендується, щоб замовник більш важливо враховував параметр внутрішнього опору MOS при проектуванні виробу.

2. Рекомендується, щоб резистор (10 К) і діод стабілізації напруги (5 В-12 В) були підключені між полюсами джерела затвора (G/S) MOS для захисту від перенапруги полюса джерела затвора (G/S).

3. Рекомендується якомога більше підвищити напругу відкриття МОП-трубки, щоб МОП-трубку можна було повністю відкрити та провести. В цей час внутрішній опір мінімальний, і нагрітися нелегко. Зазвичай рекомендується, щоб напруга відкриття VGS низьковольтних МОП була встановлена ​​вище 4,5 В, а напруга відкриття МОП середньої та високої напруги повинна бути вище 10 В.

4. Запобіжні заходи щодо роботи схеми MOS:


Статична електрика може виникати в багатьох місцях. Наступні запобіжні заходи можуть ефективно запобігти пошкодженню МОП-схем, спричиненому статичним розрядом:

• Оператори повинні бути заземлені через антистатичний браслет.

• Корпус обладнання повинен бути заземлений.

• Інструменти, які використовуються під час монтажу, повинні бути заземлені.

• Має бути упакований або транспортований з провідником або антистатичними матеріалами

Наш HM2301/SOT-23/3A/20V/PMOS має наступні переваги: ​​він має струм 3A та малий внутрішній опір, що відрізняється від недорогого продукту 1A на ринку. Його можна використовувати в мобільному джерелі живлення/зарядному пристрої/багатосекційній захисній платі/побутовій техніці/іграшках для авіамоделювання/дистанційного керування та інших додатках із високим струмом/низьким внутрішнім опором.


Наш HM2302/SOT-23/3A/20V/NMOS має наступні переваги: ​​він має струм 3A та малий внутрішній опір, що відрізняється від недорогого продукту 1A на ринку. Його можна використовувати в мобільному джерелі живлення/зарядному пристрої/багатосекційній захисній платі/побутовій техніці/іграшках для авіамоделювання/дистанційного керування та інших додатках із високим струмом/низьким внутрішнім опором.


Наш HM3400/SOT-23-3L/5.8A/30V/NMOS має наступні переваги: ​​він оснащений струмом 5.8A/великим SOT-23 з малим внутрішнім опором. На відміну від невеликого SOT-23 у нижньому сегменті ринку, його можна використовувати для мобільного джерела живлення/зарядного пристрою/багатосекційної захисної плати/побутової техніки/аеромоделювання/іграшок з дистанційним керуванням та інших додатків із сильним струмом/низьким внутрішнім опором.


Наш HM3401/SOT-23-3L/4.2A/30V/PMOS має наступні переваги: ​​він оснащений струмом 4.2A/великим SOT-23 з малим внутрішнім опором. На відміну від невеликого SOT-23 у нижньому сегменті ринку, його можна використовувати для мобільного джерела живлення/зарядного пристрою/багатосекційної захисної плати/побутової техніки/аеромоделювання/іграшок з дистанційним керуванням та інших додатків із сильним струмом/низьким внутрішнім опором.


Наш HM2310/SOT-23-3L/3A/60V/NMOS має наступні переваги: ​​1. Витримувана напруга може досягати 60V, що достатньо для струму 3A, і він поставляється з великим SOT-23. 2. Його можна використовувати для світлодіодного освітлення та інших продуктів з опором високої напруги.


Наш HM4953 має переваги великого струму та малого внутрішнього опору, які можна використовувати на ринку повнокольорових екранів.


Наш HM4430 має такі переваги, як великий струм, малий внутрішній опір і струм до 18 А. Це один із продуктів із найбільшим струмом SOP8/NMOS на ринку.


Перевага нашого HM4440 полягає в тому, що витримувана напруга може досягати 60 В, що є одним із найбільших на ринку продуктів із витримкою напруги SOP8/NMOS.


Переваги HM8810E/SOT-26&TSSOP8/7A/20V/dual N MOS: має струм 7A та захист від статичної електрики. Порівняно з 8205 на ринку, струм більший, а внутрішній опір менший. Він може безпосередньо замінити AO8810/AO8820/AO8822/SSF2418E/SSF2816E. Він в основному використовується в платі захисту літієвої батареї високого класу/батареї мобільного телефону/багатосекційній платі захисту/мобільному джерелі живлення/зарядному пристрої/побутовій техніці/іграшках для авіамоделювання/дистанційного керування та інших додатках із сильним струмом/низьким внутрішнім опором.


Застосування продукту:


1. MP3/MP4/MP5/PMP плеєр

2.MID/UMPC

3. GPS/Bluetooth гарнітура

4. PDVD/бортовий DVD/автомагнітола

5. РК-телевізор/РК-дисплей

6. Мобільний блок живлення/електронна сигарета

7. Акумулятор мобільного телефону, захисна плата літієвого акумулятора

8. Світлодіодне освітлення/світлодіодне живлення

9. Світлодіодний дисплей

10. Розумний зарядний пристрій

11. Дрібна побутова техніка, пульт управління побутовою технікою

12. Материнська плата комп'ютера та відеокарта



Отримати останню ціну? Ми відповімо якнайшвидше (протягом 12 годин)

Політика конфіденційності

close left right