HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET

  • Купити HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Ціна ,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Бренд,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Конструктор,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Ринок,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Компанія,
  • Купити HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Ціна ,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Бренд,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Конструктор,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Ринок,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Компанія,
  • Купити HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Ціна ,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Бренд,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Конструктор,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Ринок,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Компанія,
  • Купити HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Ціна ,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Бренд,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Конструктор,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Ринок,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Компанія,
  • Купити HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Ціна ,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Бренд,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Конструктор,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Ринок,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Компанія,
  • Купити HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Ціна ,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Бренд,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Конструктор,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Ринок,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Компанія,
  • Купити HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Ціна ,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Бренд,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Конструктор,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Ринок,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Компанія,
  • Купити HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Ціна ,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Бренд,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Конструктор,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Ринок,HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET Компанія,
HM N+P-канальний низьковольтний MOSFET
  • HM
  • КИТАЙ
  • 1 ТИЖДЕНЬ
  • 1000000

Оригінальний виробник!
Запаси готові до відправлення!
Безкоштовні зразки!
Ласкаво просимо OEM/ODM!
Висока якість помірна ціна

Заміни зроблені в Китаї для TI, Diodes, Infineon, ST, MuRATA, Nippon Chemicon, TDK, NDK, UTC, ONSEMI, ADI, NXP тощо.

Для отримання додаткової інформації, не зазначеної тут, зв’яжіться з нами безпосередньо:

Джим Денг

Whatsapp/wechat/мобільний телефон: +86 18925234107

Skype: happyjimdeng

Електронна адреса: sales@joegetech.com

Модель №. Канал VDS
(Макс.)
 VGS VTH
(Тип)
ID
(Макс.) 
 IDM RDS (увімкнено)
(Макс.)
Пакет Заміна нижченаведених елементів
HM4622канал N+P

20В

/-20В

12В/-12В

0,65 В

/-0,7 В

5,0 А/
-5,0А

20А/
-20А

22 мОм/
39 мОм
SOP8AO4622
HM4622Aканал N+P

20В

/-20В

12В/-10В

0,7 В

/-0,8 В

7,5 А/
-7,0А
30А/
-28А
8мОм/
25 мОм
SOP8AO4622
HM4606канал N+P

30В

/-30В

20В/-20В

1,2 В

/-1,5 В

6,5 А/
-6,0А
28А/
-26А
23 мОм/
27 мОм
SOP8AO4606/AO4603/AO4604/
AP4503/AP4501/STM8401
HM4606Aканал N+P

30В

/-30В

20В/-20В

1,6 В

/-1,9 В

6,5 А/
-7,0А
30А/
-30А
20 мОм/
28 мОм
SOP8AO4606/AO4603/AO4604/
AP4503/AP4501/STM8401
HM4606Bканал N+P

30В

/-30В

20В/-20В

1,5 В

/-1,4 В

6,5 А/
-7,0А
30А/
-30А
20 мОм/
28 мОм
SOP8AO4606/AO4603/AO4604/
AP4503/AP4501/STM8401
HM4606Cканал N+P

20В

/-20В

10В/-10В

0,7 В

/-0,65 В

5,0 А/
-4,0А
20А/
-16А
30 мОм/
65 мОм
SOP8AO4606/AO4603/AO4604/
AP4503/AP4501/STM8401
HM4606Dканал N+P

30В

/-30В

20В/-20В

0,9 В

/-0,9 В

6,5 А/
-5,1А
20А/
-20А
26 мОм/
45 мОм
SOP8AO4606/AO4603/AO4604/
AP4503/AP4501/STM8401
HM4503канал N+P

30В

/-30В

20В/-20В

1,6 В

/-1,5 В

10,5 А/
-9,1А
30А/
-30А
7,5 мОм/
15 мОм
SOP8AO4616/AO4606/AO4603/
AP4604/AP4503/STM8401
HM4616канал N+P

30В

/-30В

20В/-20В

1,6 В

/-1,5 В

10,5 А/
-9,1А
30А/
-30А
7,5 мОм/
15 мОм
SOP8AO4616/AO4606/AO4603/
AP4604/AP4503/STM8401
HM4616Aканал N+P

30В

/-30В

20В/-20В

1,6 В

/-1,5 В

18А/
-12А
50А
/-50А
7,5 мОм/
14 мОм
SOP8AO4616/AO4606/AO4603/
AP4604/AP4503/STM8401
HM4614канал N+P

40В

/-40В

12В/-12В

1,5 В

/-1,5 В

7,0 А/
-5,0А
30А/
-30А
19,5 мОм/
32 мОм
SOP8AO4614
HM4614Bканал N+P

40В

/-40В

20В/

-20В

1,8 В/

-1,7 В

6,0 А/
-5,0А
24А/
-20А
23 мОм/
35 мОм
SOP8AO4614
HM4618канал N+P

40В

/-40В

20В/

-20В

1,6 В/

-2,0 В

10А/
-7,5А
40А/
-30А
16 мОм/
30 мОм
SOP8AO4618
HM4618Bканал N+P

40В

/-40В

20В/

-20В

1,5 В/

-1,5 В

8,0 А/
-7,0А
40А/
-30А
14мОм/
29 мОм
SOP8AO4618
HM4618Aканал N+P

40В

/-40В

20В/

-20В

1,5 В/

-1,9 В

15А/
-13А
60A//
-40А
9мОм//
12 мОм
SOP8AO4618
HM4612канал N+P

60В

/-60В

20В/

-20В

1,65 В/

-2,5 В

4,5 А/
-3,2А
18А/
-13А
38 мОм/
95 мОм
SOP8AO4612/AO4611
HM4611канал N+P

60В

/-55В

20В/

-20В

2,0 В/

-2,6 В

5,0 А/
-5,0А
20А/
-25А
45 мОм/
64 мОм
SOP8AO4611/AO4612/AO4614
HM4611Bканал N+P

60В

/-60В

20В/

-20В

1,6 В/

-2,6 В

6.3A/
-6,0А
25А/
-24А
26 мОм/
64 мОм
SOP8AO4611/AO4612/AO4614
HM4611C
канал N+P
60В
/-60В
20В/
-20В
1,8 В/
-2,6 В
0,9 А/
-9А
27А/
-27А
12 мОм/
25 мОм
SOP8
AO4611/AO4612/AO4614
HM4611Aканал N+P

60В

/-55В

20В/

-20В

3,0 В/

-2,9 В

9,0 А/
-6,5А
36А/
-32А
12 мОм/
39 мОм
SOP8AO4611/AO4612/AO4614
HM4615канал N+P

100В

/-100В

20В/

-20В

3,3 В/

-1,9 В

6,5 А/
-4,5А
25А/
-18А
33 мОм/
85 мОм
SOP8AO4615
HM6602канал N+P

30В

/-30В

20В/

-20В

1,5 В/

-1,6 В

3,6 А/
-2,5А
15А/
-10А
40 мОм/
72 мОм
СОТ23-6ЛAO6602/AO6604/SI3552
FDC6333/FDC6327/FDC6420
HM6604канал N+P

20В/
-20В

12В/

-12В

0,75/

-0,7 В

3A/
-3А

13А/
-13А

35 мОм/
78 мОм
SOT23-6AO6604
HM6604D
/DB
канал N+P
З ESD захистом
20В

0,45 В/
-0,45 В
0,9 А/
-0,8А
5,0 А/
-4,0А
220 мОм/
350 мОм
SOT23-6
AO6604
HM6604
BWKR
канал N+P
З ESD захистом
20В

0,45 В/
-0,45 В

0,9 А/
-0,8А
5,0 А/
-4,0А
220 мОм/
350 мОм
СЬОГОДНІ-363AO7600
BSS8402DM
канал N+P
50В/
-55В
20В/
-20В
1,2 В/
-1,5 В
0,34 А/
-0,3А
1,36 А/
-0,90А
1,1 Ом/
2,5 Ом
SOT23-6

BSS8402DWканал N+P

60В/
-50В

20В/

-20В

1,75/

-1,4 В

0,115 А/
-0,13А
0,46 А/
-0,52А
3,2 Ом/
6 годин
СЬОГОДНІ-363BSS8402DW
HM4612Dканал N+P

12В/
-12В

12В/

-12В

0,6/

-0,7 В

5А/
-5А
15А/
-15А
28 мОм/
60 мОм
ДФН2Х2-6ЛWCM2070
HM4620Dканал N+P

20В/
-20В

12В/

-12В

0,65/

-0,7 В

5А/
-5А
15А/
-15А
22 мОм/
39 мОм
ДФН2Х2-6ЛWCM2001
HM4630Dканал N+P30В12В

0,9/
-0,9 В

5А/
-5А
15А/
-15А
30 мОм/
95 мОм
ДФН2Х2-6Л
HM4640D
канал N+P
40В
20В
3,0/
-1,8 В
4А/
-5А
16А/
-20А
32 мОм/
67 мОм
ДФН2Х2-6Л

HM15NP30D
канал N+P
30 В/
-30В
20В/
-20В
1,73 В/
-1,6 В
15А/
-15А
65А/
-65А
9,7 мОм/
21,2 мОм
ДФН5*6-8л

HM32324D
канал N+P
30 В/
-30В
20В/
-20В
1,5 В/
1,5 В
16А/
-18А
50А/
-60А
12 мОм/
14,5 мОм
ДФН5*6-8

HM4543Dканал N+P
Ліво право
40В20В1,65 А/
-1,65 В
8,8 А/
-7,3А
30А/
-30А
21мОм/
38 мОм
ДФН5*6-8

Зауваження:


1. Позначений струм Id є максимальним нормальним струмом мікросхеми MOS. Максимальний нормальний струм при фактичному використанні також обмежується максимальним струмом упаковки. Таким чином, максимальний граничний струм упаковки слід враховувати, коли замовник проектує продукт. Рекомендується, щоб замовник більш важливо враховував параметр внутрішнього опору MOS при проектуванні виробу.

2. Рекомендується, щоб резистор (10 К) і діод стабілізації напруги (5 В-12 В) були підключені між полюсами джерела затвора (G/S) MOS для захисту від перенапруги полюса джерела затвора (G/S).

3. Рекомендується якомога більше підвищити напругу відкриття МОП-трубки, щоб МОП-трубку можна було повністю відкрити та провести. В цей час внутрішній опір мінімальний, і нагрітися нелегко. Зазвичай рекомендується, щоб напруга відкриття VGS низьковольтних МОП була встановлена ​​вище 4,5 В, а напруга відкриття МОП середньої та високої напруги повинна бути вище 10 В.

4. Запобіжні заходи щодо роботи схеми MOS:


Статична електрика може виникати в багатьох місцях. Наступні запобіжні заходи можуть ефективно запобігти пошкодженню МОП-схем, спричиненому статичним розрядом:

• Оператори повинні бути заземлені через антистатичний браслет.

• Корпус обладнання повинен бути заземлений.

• Інструменти, які використовуються під час монтажу, повинні бути заземлені.

• Має бути упакований або транспортований з провідником або антистатичними матеріалами

Наш HM2301/SOT-23/3A/20V/PMOS має наступні переваги: ​​він має струм 3A та малий внутрішній опір, що відрізняється від недорогого продукту 1A на ринку. Його можна використовувати в мобільному джерелі живлення/зарядному пристрої/багатосекційній захисній платі/побутовій техніці/іграшках для авіамоделювання/дистанційного керування та інших додатках із високим струмом/низьким внутрішнім опором.


Наш HM2302/SOT-23/3A/20V/NMOS має наступні переваги: ​​він має струм 3A та малий внутрішній опір, що відрізняється від недорогого продукту 1A на ринку. Його можна використовувати в мобільному джерелі живлення/зарядному пристрої/багатосекційній захисній платі/побутовій техніці/іграшках для авіамоделювання/дистанційного керування та інших додатках із високим струмом/низьким внутрішнім опором.


Наш HM3400/SOT-23-3L/5.8A/30V/NMOS має наступні переваги: ​​він оснащений струмом 5.8A/великим SOT-23 з малим внутрішнім опором. На відміну від невеликого SOT-23 у нижньому сегменті ринку, його можна використовувати для мобільного джерела живлення/зарядного пристрою/багатосекційної захисної плати/побутової техніки/аеромоделювання/іграшок з дистанційним керуванням та інших додатків із сильним струмом/низьким внутрішнім опором.


Наш HM3401/SOT-23-3L/4.2A/30V/PMOS має наступні переваги: ​​він оснащений струмом 4.2A/великим SOT-23 з малим внутрішнім опором. На відміну від невеликого SOT-23 у нижньому сегменті ринку, його можна використовувати для мобільного джерела живлення/зарядного пристрою/багатосекційної захисної плати/побутової техніки/аеромоделювання/іграшок з дистанційним керуванням та інших додатків із сильним струмом/низьким внутрішнім опором.


Наш HM2310/SOT-23-3L/3A/60V/NMOS має наступні переваги: ​​1. Витримувана напруга може досягати 60V, що достатньо для струму 3A, і він поставляється з великим SOT-23. 2. Його можна використовувати для світлодіодного освітлення та інших продуктів з опором високої напруги.


Наш HM4953 має переваги великого струму та малого внутрішнього опору, які можна використовувати на ринку повнокольорових екранів.


Наш HM4430 має такі переваги, як великий струм, малий внутрішній опір і струм до 18 А. Це один із продуктів із найбільшим струмом SOP8/NMOS на ринку.


Перевага нашого HM4440 полягає в тому, що витримувана напруга може досягати 60 В, що є одним із найбільших на ринку продуктів із витримкою напруги SOP8/NMOS.


Переваги HM8810E/SOT-26&TSSOP8/7A/20V/dual N MOS: має струм 7A та захист від статичної електрики. Порівняно з 8205 на ринку, струм більший, а внутрішній опір менший. Він може безпосередньо замінити AO8810/AO8820/AO8822/SSF2418E/SSF2816E. Він в основному використовується в платі захисту літієвої батареї високого класу/батареї мобільного телефону/багатосекційній платі захисту/мобільному джерелі живлення/зарядному пристрої/побутовій техніці/іграшках для авіамоделювання/дистанційного керування та інших додатках із сильним струмом/низьким внутрішнім опором.


Застосування продукту:


1. MP3/MP4/MP5/PMP плеєр

2.MID/UMPC

3. GPS/Bluetooth гарнітура

4. PDVD/бортовий DVD/автомагнітола

5. РК-телевізор/РК-дисплей

6. Мобільний блок живлення/електронна сигарета

7. Акумулятор мобільного телефону, захисна плата літієвого акумулятора

8. Світлодіодне освітлення/світлодіодне живлення

9. Світлодіодний дисплей

10. Розумний зарядний пристрій

11. Дрібна побутова техніка, пульт управління побутовою технікою

12. Материнська плата комп'ютера та відеокарта



Отримати останню ціну? Ми відповімо якнайшвидше (протягом 12 годин)

Політика конфіденційності

close left right